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晶圓(芯片)減薄/研磨/拋光真空吸盤 grinding

減薄(研磨)盤訂做,亦可維修換面。

歡迎了解咨詢!



減薄/研磨:




1.通過減薄/研磨的方式對晶片襯底進行減薄,改善芯片散熱效果。

2.減薄到一定厚度有利于后期封裝工藝。

常規工藝:

減薄/拋光到80-100um

粗糙度: 5-20nm

平整度: ±3um

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減薄/研磨:


1.通過減薄/研磨的方式對(dui)晶片襯(chen)底進行減薄,改善芯片散熱(re)效果。

2.減薄到一定厚度有(you)利于后期封(feng)裝工(gong)藝。

常規工藝:

減薄(bo)/拋光到80-100um

粗糙度(du): 5-20nm

平整度: ±3um


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減薄/研磨:




1.通過減薄/研磨的方式對晶片襯底進行減薄,改善芯片散熱效果。

2.減薄到一定厚度有利于后期封裝工藝。

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粗糙度: 5-20nm

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